ثبت سفارش
عنوان محصول
قیمت
0

پاورپوینت ساختار ترانزیستور های دو قطبی یا پیوندی(BJT)

Code: #1163
تعداد صفحات
29
فرمت فایل
پاورپوینت
سال
مشخص نشده
مقطع
دانشگاهی

خلاصه پاورپوینت ساختار ترانزیستور های دو قطبی یا پیوندی(BJT)

***4

زمانی ترانزیستور در ناحیه خطی یا فعال کار می کند که دیود بیس امیتر  روشن و دیود بیس کلکتور قطع باشد 

 

***5

  مقداری از جریان حفره ای که بوسیله الکترون های بیس جذب می شودIx

 مقداری از جریان حفره ای که از بیس عبور می کندIPC

 جریان الکترونی بیس که برای ترکیب با حفره های            ، به       می آیند  Inco

 

***6

که در حقیقت تامین کننده جریان حفره ای است بنابراین  VBE  توسطIC جریان IC≈ IE ازآنجا که

  می توان از رابطه زیر استفاده کرد: IC    برای محاسبه  

و در نتیجه افزایش قدرت پرتاب گری می شود C  و  B   تنها منجر به افزایش عرض ناحیه تخلیه بین  VCB افزایش

 افزایش می دهدμA در حد  ICO تاثیری ندارد و تنها IPC      اما روی جریان   

 

 

فهرست پاورپوینت ساختار ترانزیستور های دو قطبی یا پیوندی(BJT)

فهرست:

ندارد
 

منبع:

ندارد

تگ‌ها